IGBT管，全称 绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT），是一种高性能的功率半导体器件。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的高输入阻抗和BJT（双极型晶体管）的低导通压降的优点，适用于高电压和大电流应用。
IGBT管的结构特点是在MOSFET的漏极上追加了一层，从而构成了一个复合全控型电压驱动式功率半导体器件。它既有MOSFET的高输入阻抗，又有电力晶体管（GTR）的低导通压降，这使得IGBT在多种电子设备中可以实现高效率的快速开关，特别适用于开关电源、交流电机、变频器等应用。
总的来说，IGBT管是一种非常重要的电力电子器件，广泛应用于各种需要高效率和高功率转换的电子设备中。
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