二极管可以用以下几种器件或材料来代替：
同型号二极管：
优先选择与损坏二极管相同型号和规格的二极管进行代换，以确保其功能和性能参数与原二极管一致。
参数相近的二极管：
若没有同型号二极管，可以选择半导体材料相同且主要参数相近的二极管进行代换。例如，锗二极管可以替代硅二极管，但需注意其频率响应和反向击穿电压等参数。
高频晶体管：
在业余条件下，若检波二极管损坏且无同型号二极管，可以用损坏了一个PN结的锗材料高频晶体管来代用。
金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：
对于高压、高功率电路中的瞬态电压抑制，可以考虑使用MOSFET来替代TVS二极管。MOSFET具有较高的抑制能力和响应速度。
电容器：
电容器也可以用来吸收瞬态电压，从而保护电路中的敏感元件。虽然其抑制能力较弱，但在低成本和易获得性方面具有优势。
双向抑制二极管：
若需要双向抑制功能，可以使用两个普通二极管反向并联来实现。但这种方法在高压或高频电路中可能会出现问题，且需要使用两个元件。
稳压二极管：
稳压二极管可以在一定范围内自动调节电压，因此也可以用来代替双向抑制二极管。但需要注意的是，稳压二极管的价格较高，且在高压或高频电路中也可能会出现问题。
在选择替代器件时，应综合考虑电路的具体需求，如工作电压、电流、频率、反向击穿电压、正向压降、热特性等因素，并确保替代器件能够可靠地保护电路中的敏感元件。
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